N沟道增强型绝缘栅型场效应管“N沟道结型场效应管”D极接电源正
2018-02-02 01:12:32谁***
“N沟道结型场效应管”D极接电源正极,S极接电源负极或S极接电源正极,D极接电源负极,都可以形成电流,也就是说它是双向导通的。“N沟道增强型绝缘栅型场效应管”沟道形成后,D极接电源正极,S极接电源负极可以形成电流,那么,S极接电源正极,D极接电源负极能不能形成电流呢?也就是说它沟道形成后能不能双向导通呢?N沟道增强型绝缘栅型场效应管。“N沟道结型场效应管”D极接电源正极,S极接电源负极或S极接电源正极,D极接电源负极,都可以形成电流,也就是说它是双向导通的。“N?
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(可见它们都是双向可以导电的器件,但性能参数差别很大) 对于绝缘栅型场效应管是否适用,需要你自己来试。(因为我没试过)估计也差不多吧,虽然书本上的图是对称的,但实际制造中不同的极还得根据需求,在工艺上有差别,比如晶体管在C极的形状,面积,引线条数都与基极发射极不同。
(像晶体管:尽管在原理上像两个背靠背的二极管,但正反向电阻是有差别的。。。。并且有的硅管(多见于早期产品)CE极正反向都可以测出电阻,不像纯粹的两个二极管连起来)。而这种差别总要在它的参数上表现出来。 *说明:这里说得反向导电,是指其反向有漏电流,并不是说它可以像双向可控硅一样,可以双向工作。
我同意雪无痕大师对场效应管原理的说明,但提问的同志看来总是想知道这些器件反向连接时会不会出现电流,也没有指出所加的电压是有多大。。。。因此我根据接触到的一些晶体管,结型场场效应管,认为说成是绝对没有反向漏电流是不合适的。
2018-02-02 02:45:32
这个我在你以前的贴中有过回复。而且有过举例。 结型场效应管的基本结构,是在一块N型硅半导体材料上制造两个P区域形成PN结,并且使两个PN结均处于反向偏置。改变反向电压,可以控制两个空间电荷区(又叫耗尽区)的厚薄。两个空间电荷区好象两大门;场效应管正是通过“大门”的开合大小:来控制流过管子的工作电流的。
电子流通(N型半导体多数载流子从源极向漏极的漂移)的“路径”,我们叫它导电沟道。沟道可以是N型沟道,也可以是P型沟道。 结型场效应管的电极有三个。N型硅半导体两端各引出一个电极,分别叫漏极(D)和源极(S)。N型硅两侧的P型区的引线连接在一起成为栅极(G)。
如果和普通晶体管相比,漏极相当于集电极源极相当于射极,栅极相当于基极。 场效应管是电压控制型器件,三极管是电流控制型器件。 场效应管的优点: 1、因是电压控制型器件,所以对G极的电流相对于三极管要求布告。 2、有工作温度时,是有温度时(不是超过极限温度那样就死定了),在D、S间会产生寄生二极管,特别适用于感性负载。
现在明白了、理解了、OK了吗!!!!???? 再自己做个硬件仿真,或者亲自搭个电路作个实验,好吗? 。
2018-02-02 02:37:32
2018-02-02 01:23:32
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