半导体导电原理半导体分为n,p两种类型,为什么当给n类型的那边加
2006-09-21 11:28:45m***
半导体分为n,p两种类型,为什么当给n类型的那边加上电子时半导体可以导电,而从p那时就不能够导电了?半导体导电原理半导体分为n,p两种类型,为什么当给n类型的那边加上电子时半导体可以导电,而从p那时就不能够导电了?:n型半导体
“n”表示负电的意思,在这类?
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如果在某一半导体的杂质总量中,施主杂质的数量占多数,则这种半导体就是n型半导体。如果在硅单晶中掺入五价元素砷、磷。则在硅原子和砷、磷原子组成共价键之后,磷外层的五个电子中,四个电子组成共价键,多出的一个电子受原子核束缚很小,因此很容易成为自由电子。
所以这种半导体中,电子载流子的数目很多,主要靠电子导电,叫做电子半导体,简称n型半导体。 p型半导体 “p”表示正电的意思。在这种半导体中,参与导电的主要是带正电的空穴,这些空穴来自于半导体中的“受主”杂质。所谓受主杂质就是掺入杂质能够接受半导体中的价电子,产生同数量的空穴,从而改变了半导体的导电性能。
例如,半导体锗和硅中的三价元素硼、铟、镓等原子都是受主。如果某一半导体的杂质总量中,受主杂质的数量占多数,则这半导体是p型半导体。如果在单晶硅上掺入三价硼原子,则硼原子与硅原子组成共价键。由于硼原子数目比硅原子要少很多,因此整个晶体结构基本不变,只是某些位置上的硅原子被硼原子所代替。
硼是三价元素,外层只有三个价电子,所以当它与硅原子组成共价键时,就自然形成了一个空穴。这样,掺入的硼杂质的每一个原子都可能提供一个空穴,从而使硅单晶中空穴载流子的数目大大增加。这种半导体内几乎没有自由电子,主要靠空穴导电,所以叫做空穴半导体,简称p型半导体。
-n结 在一块半导体中,掺入施主杂质,使其中一部分成为n型半导体,其余部分掺入受主杂质而成为p型半导体,当p型半导体和n型半导体这两个区域共处一体时,这两个区域之间的交界层就是p-n结。p-n结很薄,结中电子和空穴都很少,但在靠近n型一边有带正电荷的离子,靠近p型一边有带负电荷的离子。
这是因为,在p型区中空穴的浓度大,在n型区中电子的浓度大,所以把它们结合在一起时,在它们交界的地方便要发生电子和空穴的扩散运动。由于p区有大量可以移动的空穴,n区几乎没有空穴,空穴就要由p区向n区扩散。同样n区有大量的自由电子,p区几乎没有电子,所以电子就要由n区向p区扩散。
随着扩散的进行,p区空穴减少,出现了一层带负电的粒子区;n区电子减少,出现了一层带正电的粒子区。结果在p-n结的边界附近形成了一个空间电荷区,p型区一边带负电荷的离子,n型区一边带正电荷的离子,因而在结中形成了很强的局部电场,方向由n区指向p区。
当结上加正向电压(即p区加电源正极,n区加电源负极)时,这电场减弱,n区中的电子和p区中的空穴都容易通过,因而电流较大;当外加电压相反时,则这电场增强,只有原n区中的少数空穴和p区中的少数电子能够通过,因而电流很小。因此p-n结具有整流作用。
当具有p-n结的半导体受到光照时,其中电子和空穴的数目增多,在结的局部电场作用下,p区的电子移到n区,n区的空穴移到p区,这样在结的两端就有电荷积累,形成电势差。这现象称为p-n结的光生伏特效应。由于这些特性,用p-n结可制成半导体二极管和光电池等器件。
如果在p-n结上加以反向电压(n区加在电源正极,p区加在电源负极),电压在一定范围内,p-n结几乎不通过电流,但当加在p-n结上的反向电压越过某一数值时,发生电流突然增大的现象。这时p-n结被击穿。p-n结被击穿后便失去其单向导电的性能,但结并不一定损坏,此时将反向电压降低,它的性能还可以恢复。
根据其内在的物理过程,p-n结击穿可分为雪崩击穿和隧道击穿两种。由于p-n结具有这种特性,一方面可以用它制造半导体二极管,使之工作在一定电压范围之内作整流器等;另方面因击穿后并不损坏而可用来制造稳压管或开关管等器件。 。
2006-09-21 12:52:53
2006-09-22 10:24:49
这样,在结合部附近,各结构元的价和电子数正好达到平衡,每个原子周围的价和电子平稳运转,没有了电子的紊乱和等待,也就没有了电子空位。这就是在不导电时的P N 结。 如果在外电压作用下,电子流趁电子空位从P 极进入,到了P N 结处没有了空位,运动受阻,外来电子在P 型晶体内,把更多的缺电子的价和线路都填满,使更多的结构元达到价和运转的平衡,即填满了更多的电子空位,使无电子空位的地带变得更宽,电阻更大。
所以从P 极进入的电子填平了电子空位,没有了电子空位,所以此路不通。 在二极管上加上相反的电压,(由N 向P )外电子从N 极因价电子多出,而造成价和运转紊乱所形成的电子空位进入,外电子的到来,更加剧了N 区价和电子运动的紊乱,多出的电子涌向P N 结,打破了P N 的平衡,使得P N 结的电子运转也出现紊乱;出现了因拥挤等待所产生的电子空位。
更多的电子挤入了空位,通过了P N 结(实际上这时P N 结已不存在)涌向P 区的电子空位,形成电流。 综上述,电子由P 区向N 行不通,而由N 向P 则势如破竹,这样,就形成了二极管的单向导电性能。 。
2006-09-21 13:46:05
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